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低压差电压调节芯片R1114的应用

发布时间:2020-07-21 18:32:18 阅读: 来源:封包机厂家

随着如手机、PDA、MP3等大量便携式电子设备需求猛增,此类电池供电产品电压较低,同时内部供电电压又有多种,故需要一种即能低压工作,又具有三端稳压器的使用便利的降压器件。同时还要具备小的封装体积,于是LDO被研发出来并大量使用。这类器件不仅满足了小体积,小压差低压工作特性,而且又具有低耗电能力。日本理光公司所生产的R1114系列是一种高输出电压精度、低耗电、低导通阻抗、高纹波抑制以及采用CMOS工艺的电压调节芯片。由于该系列具有良好的线性瞬时特性和有负载时的瞬时特性,因此非常适合于手持式通讯设备的供电。R1114的封装形式采用小体积SOT-23-5和SC-82AB,因此有利于在一块板上进行高密度的安装。此外,该系列还内置过流保护电路,可外接陶瓷电容,具有快速放电功能。R1114的原理框图如图1所示。图1中设定LDO Vout的内部电阻已确定,在订货时只需向生产商讲明需求的电压值即可,故整个电路的使用如三端稳压器一样方便。在输入端存在一个大于Vout的直流电压,Vout端将出现一个预定的电压,其中Vdd-Vout即LDO的压差。在Vout已定的情况下,当Vdd发生跌落并跌至一个值时,LDO将会退出稳压。此时Vout也将会下降。在LDO退出稳压前,此时也有一个Vdd-Vout,这一值为LDO的最低压差。LDO最低压差和Iout有关,Iout越大则最低压差也将越大。最低压差同时也和内部的功率器件导通电阻值有关,在R1114系列的D系列中LDO内部在Vout和GND之间连接了一个MOS管,当CE脚不选时,MOS管导通可以使Vout端连接的外部电容通过MOS管快速放电。其外围电路如图2所示。当使用这些芯片的时候,应注意两上方面:1.在这些IC中,为了使负载电流在发生变化的情况下,相位补偿也能使芯片正常工作。要用一个频率特性与等效串联电阻稳定的输出电容。 2.使Vdd和GND脚的布线要足够粗。假如它们的阻抗太高,产生的杂波可能会影响输出。在Vdd和GND脚之间接入一个1.0mF的电容,该电容必需尽可能的接近IC相应的脚位。随着便携式产品越来越多的被应用,且随着整机日益的复杂化,其内部供电电压的重要性也越来越突出,R1114必将发挥更为重要的作用。■

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